SiC-MOSFET Pengimpal Paip Frekuensi Tinggi Keadaan Pepejal

Apabila teknologi bertambah baik, baru-baru ini untuk pengimpal frekuensi tinggi keadaan pepejal menggunakan bahan semikonduktor generasi ketiga yang dipanggil SiC-MOSFET.

The Third Generation Semiconductor Materials SiC-MOSFET Performance Characteristics

1. High temperature and high pressure resistance: SiC has a wide band gap about 3 times that of Si, so it can realize power devices that can operate stably even under high temperature conditions. The insulation breakdown field strength of SiC is 10 times that of Si, so it is possible to fabricate high-voltage power devices with a higher doping concentration and a thinner film thickness drift layer compared to Si devices.

2. Pengecilan peranti dan ringan: Peranti silikon karbida mempunyai kekonduksian haba dan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi, yang boleh memudahkan sistem pelesapan haba, untuk mencapai pengecilan peranti dan ringan.

3. Kerugian rendah dan frekuensi tinggi: Kekerapan kerja peranti silikon karbida boleh mencapai 10 kali ganda daripada peranti berasaskan silikon, dan kecekapan tidak berkurangan dengan peningkatan kekerapan kerja, yang boleh mengurangkan kehilangan tenaga hampir 50%; Pada masa yang sama, disebabkan peningkatan kekerapan, isipadu komponen persisian seperti induktansi dan transformer dikurangkan, dan kos isipadu dan komponen lain selepas komposisi sistem dikurangkan.

Kelebihan Pengimpal Paip Frekuensi Tinggi SiC-MOSFET Keadaan Pepejal

Kerugian 1.60% lebih rendah daripada peranti Si-MOSFET, kecekapan penyongsang pengimpal meningkat lebih daripada 10%, kecekapan kimpalan meningkat lebih daripada 5%.

2. Ketumpatan kuasa SiC-MOSFET tunggal adalah besar, kuantiti yang dipasang dikurangkan dengan sewajarnya, yang secara langsung mengurangkan titik kerosakan dan sinaran elektromagnet luaran, dan meningkatkan kebolehpercayaan unit kuasa penyongsang.

3.SiC-MOSFET withstand voltage higher than original Si-MOSFET, welder DC rated voltage has been increased accordingly under the premise of ensuring safety(280VDC for parallel resonant welder and 500VDC for series resonant welder).Power factor of the grid side ≥ 0.94.

4. Kehilangan peranti SiC-MOSFET baharu hanya 40% daripada Si-MOSFET, di bawah keadaan penyejukan tertentu, frekuensi pensuisan boleh menjadi lebih tinggi, pengimpal Si-MOSFET resonan siri mengguna pakai teknologi penggandaan frekuensi, mengguna pakai SiC-MOSFET boleh terus mereka bentuk dan mengeluarkan sehingga Pengimpal frekuensi tinggi 600KHz.

5. Pengimpal SiC-MOSFET baharu voltan DC meningkat, faktor kuasa sisi grid tinggi, arus AC kecil, arus harmonik kecil, kos bekalan dan pengagihan kuasa pelanggan sangat berkurangan, dan kecekapan bekalan kuasa dipertingkatkan dengan berkesan.